слой осаждения из паровой фазы

См. также в других словарях:

• слой кремния, полученный методом химического осаждения из паровой фазы — cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Омический контакт — контакт между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками, характеризующийся линейной симметричной вольт амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ является асимметричной и нелинейной, контакт является не омическим а выпрямляющим,… …   Википедия

• ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера

• Атомно-слоевое осаждение — Последовательное осаждение реагентов в цикле реакции …   Википедия

• chemical vapor deposition silicon — cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического осаждения из паровой фазы, m pranc. couche de… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht — cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• couche de silicium de déposition chimique en phase vapeur — cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ — МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ, технологическая реализация процесса кристаллизации с целью получения монокристаллов и пленок различных веществ. В промышленности и исследовательских лабораториях кристаллы выращивают из паров, растворов, расплавов,… …   Энциклопедический словарь

• СТО 70238424.27.100.027-2009: Водоподготовительные установки и водно-химический режим ТЭС. Организация эксплуатации и технического обслуживания. Нормы и требования — Терминология СТО 70238424.27.100.027 2009: Водоподготовительные установки и водно химический режим ТЭС. Организация эксплуатации и технического обслуживания. Нормы и требования: 3.40 Na катионирование : Процесс фильтрования воды через слой… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации